GLOBALFOUNDRIES(GF)宣布已在其公司的22nm FD-SOI(22FDX)平台上生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)，并且GF正在与多家客户合作计划于2020年推出多个生产磁带。今天的公告代表了行业里程碑，证明了eMRAM的可扩展性是物联网(IoT)，通用微控制器，汽车，边缘AI(人工智能)和其他低功耗应用。

GF的eMRAM设计为替代大容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，使设计人员能够扩展其现有的IoT和微控制器单元架构，以获取28nm以下技术节点的功耗和密度优势。

GF的eMRAM是一款高度通用的坚固型嵌入式非易失性存储器(eNVM)，已通过了五项严格的实际焊锡回流测试，并在-40°C至125°C的温度范围内具有100,000个循环的耐久性和10年的数据保留能力温度范围。FDX eMRAM解决方案支持AEC-Q100质量2级设计，并且正在进行开发，以支持明年的AEC-Q100质量1级解决方案。

“我们继续致力于通过功能强大，功能丰富的解决方案使我们的FDX平台与众不同，从而使我们的客户能够为高性能和低功耗应用构建创新产品，”汽车和工业多市场高级副总裁兼总经理Mike Hogan说。在GLOBALFOUNDRIES。“我们的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上，在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使我们的客户能够提供新一代的超高性能-低功耗MCU和连接的IoT应用。”

GF和我们的设计合作伙伴今天开始提供定制设计套件，这些套件具有可插入的，经过硅验证的MRAM宏，范围从4到48兆位，并提供MRAM内置自测支持选项。

eMRAM是可扩展的功能，预计将在FinFET和未来的FDX平台上使用，作为公司高级eNVM路线图的一部分。GF位于德国德累斯顿Fab 1的先进300mm生产线将支持采用MRAM的22FDX的批量生产。